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公司基本資料信息
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基本組成:測(cè)試臺(tái)測(cè)試電極組、升降臺(tái)、支架、連接線纜等部件組成。
配套與兼容:本測(cè)試臺(tái)兼容本公司所有臺(tái)式四探針測(cè)試儀器。本測(cè)試臺(tái)可兼容國內(nèi)同行絕大多數(shù)四探針電阻率/方阻測(cè)試儀器。
優(yōu)勢(shì)特征:SZT-H1質(zhì)量電阻率測(cè)試臺(tái)符合國標(biāo)《GB/T 5230-1995》中對(duì)金屬箔類質(zhì)量電阻率測(cè)試要求,測(cè)試電極采用銅質(zhì)刀架制成,故定位準(zhǔn)確、游移率小、接觸良好;測(cè)試結(jié)果由數(shù)字表頭直接顯示。儀器具有測(cè)量精度高、靈敏度高、穩(wěn)定性好、智能化程度高、結(jié)構(gòu)緊湊、測(cè)量簡便等特點(diǎn)。
儀器適用于金屬薄膜材料廠、半導(dǎo)體薄膜材料廠、橡塑材料廠、電容器廠、科研單位、高等院校等對(duì)半導(dǎo)體或金屬薄膜材料的方阻、電阻率性能的測(cè)試。特別適用于要求快速測(cè)量中低方阻及要求結(jié)果分選的場(chǎng)合。
2.1 測(cè)量范圍、分辨率(有所配儀器決定)
(1)方阻測(cè)試范圍*(以配SZT-H1測(cè)試臺(tái)為例)
測(cè)量膜寬:1mm≤B≤50mm
基本方阻測(cè)量值: 1.0×10-6 ~ 1.2×103 Ω/□, 分辨率:1.0×10-7 ~ 1.0×100 Ω/□。
具體膜寬w與測(cè)量范圍關(guān)系見圖2-1A。
(2)電阻率測(cè)試范圍(以配SZT-H1測(cè)試臺(tái)為例)
(厚度d<10mm,寬w<50mm)
基本電阻率測(cè)量值: 1.0×10-6 ~ 1.2×103 Ω*cm, 分辨率:1.0×10-7 ~ 1.0×100 Ω*cm。
具體截面s與測(cè)量范圍關(guān)系見圖2-1B。
2.2 SZT-H1測(cè)試刀架:
⑴電壓刀片間距:20mm±0.2% ,刀刃長60mm
⑵電流刀片間距: 300mm,刀刃長60mm
⑶測(cè)試臺(tái)架外型尺寸:360×200×240(長×寬×高)