絕緣半導(dǎo)體技術(shù)資料-絕緣體基片-具有半導(dǎo)體-制作有半導(dǎo)體-絕緣半導(dǎo)體-上應(yīng)變半導(dǎo)體類資料（238元/全套）選購時請記住本套資料（光盤）售價：238元；資料（光盤）編號：F150881
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《絕緣半導(dǎo)體資料》包括專利技術(shù)全文資料277份。
0001)沸石溶膠及其制法、多孔膜形成用組合物、多孔膜及其制法、層間絕緣膜和半導(dǎo)體裝置

0011)絕緣柵型半導(dǎo)體元件的柵極電路
0012)具有形成在電容器上的可流動絕緣層的半導(dǎo)體裝置及其制造方法
0013)應(yīng)變半導(dǎo)體覆絕緣層型基底
0014)沉積方法、沉積設(shè)備、絕緣膜及半導(dǎo)體集成電路
0015)絕緣型大功率電力半導(dǎo)體模塊
0016)具有凹陷抵抗埋入絕緣層的絕緣層上有半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)及其制造方法
0017)已處理的半導(dǎo)體晶片的固定的、絕緣的和導(dǎo)電的連接
0018)具有極化兼容緩沖層的金屬絕緣體半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
0019)具有金屬－絕緣膜－半導(dǎo)體三層結(jié)構(gòu)的晶體管的制造方法
0020)具有多柵極絕緣層的半導(dǎo)體裝置及其制造方法
0021)半絕緣SiC半導(dǎo)體器件的歐姆接觸制作方法
0022)含有機硅烷化合物的絕緣膜用材料及其制法及半導(dǎo)體裝置
0023)穩(wěn)定絕緣體基半導(dǎo)體器件的方法及絕緣體基半導(dǎo)體器件
0024)金屬(*)制造具有絕緣性能提高的氮化膜的半導(dǎo)體器件的方法
0026)具溝渠絕緣的半導(dǎo)體組件及其制造方法
0027)以低介電常數(shù)為絕緣埋層的絕緣層上半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其方法
0028)完全耗盡型絕緣層上硅結(jié)構(gòu)的摻雜方法和包含所形成摻雜區(qū)的半導(dǎo)體器件
0029)絕緣柵型半導(dǎo)體裝置、制造方法及保護電路
0030)絕緣柵型半導(dǎo)體器件
0031)絕緣膜材料、多層互連結(jié)構(gòu)及其制造方法和半導(dǎo)體器件的制造方法
0032)非絕緣式電力半導(dǎo)體模塊
0033)用于半導(dǎo)體和功率模件的絕緣襯底板
0034)絕緣膜的形成方法及半導(dǎo)體器件的制造方法
0035)硅絕緣體結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體器件
0036)兩側(cè)絕緣體上半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法
0037)制造絕緣體上的硅結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的方法
0038)半導(dǎo)體均壓合成絕緣子
0039)柵極絕緣膜的形成方法、半導(dǎo)體裝置和計算機記錄介質(zhì)
0040)具有抗凹蝕絕緣層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法
0041)在半導(dǎo)體襯底中建立高導(dǎo)電性埋入的側(cè)面絕緣區(qū)域的方法
0042)半導(dǎo)體均壓層和中導(dǎo)電性硅橡膠及制備合成絕緣子的工藝
0043)絕緣柵型半導(dǎo)體器件及其制法
0044)用于半導(dǎo)體器件的絕緣膜沉積方法
0045)微機電系統(tǒng)器件加工中絕緣層與半導(dǎo)體導(dǎo)電層圖形對準誤差電學測試結(jié)構(gòu)
0046)金屬絕緣體半導(dǎo)體類型的半導(dǎo)體器件及其制造方法
0047)多孔膜形成用組合物、多孔膜制造法、多孔膜、層間絕緣膜及半導(dǎo)體裝置
0048)具有絕緣柵極的半導(dǎo)體器件及其制造方法
0049)采用絕緣體(*)絕緣柵型半導(dǎo)體裝置
0051)全包型陶瓷半導(dǎo)體絕緣加熱裝置
0052)與半導(dǎo)體上絕緣通孔中的銅金屬化層接觸的方法和結(jié)構(gòu)
0053)包括金屬(*)絕緣材料、布線板和半導(dǎo)體器件
0055)一種砷化鎵基半導(dǎo)體(*)具金屬(*)絕緣柵型半導(dǎo)體器件
0058)體約束的絕緣體上硅半導(dǎo)體器件及其制造方法
0059)應(yīng)變絕緣體上半導(dǎo)體材料及制造方法
0060)具有間斷絕緣區(qū)的半導(dǎo)體IC器件及其制造方法
0061)半導(dǎo)體芯片中具有降低的電壓相關(guān)性的高密度復(fù)合金屬(*)半導(dǎo)體器件及改善體接觸絕緣體上硅(SOI)場效應(yīng)晶體管的方法
0063)使用共混溶液形成半導(dǎo)體層和絕緣層而制備底柵薄膜晶體管的改進方法
0064)絕緣膜用材料，絕緣膜用罩光清漆,以及絕緣膜和采用該膜或該清漆的半導(dǎo)體裝置
0065)半導(dǎo)體裝置和“絕緣體上的半導(dǎo)體”襯底
0066)含有電路元件和絕緣膜的半導(dǎo)體模塊及其制造方法以及其應(yīng)用
0067)腐蝕絕緣層和制作半導(dǎo)體器件的工藝
0068)絕緣柵型半導(dǎo)體裝置
0069)評價用于形成絕緣膜的硅氧烷的方法、形成絕緣膜的涂布液及其制備、半導(dǎo)體器件用絕緣膜成型方法以及采用絕緣膜成膜法制備半導(dǎo)體器件的方法
0070)半導(dǎo)體集成電路用絕緣膜研磨劑組合物及半導(dǎo)體集成電路的制造方法
0071)一種廣義的絕緣體上半導(dǎo)體薄膜材料及制備方法
0072)形成半導(dǎo)體設(shè)備的絕緣層的方法
0073)絕緣體上半導(dǎo)體的襯底以及由該襯底所形成的半導(dǎo)體裝置
0074)絕緣柵半導(dǎo)體器件
0075)包含鍺的硅氧烷基樹脂和使用該樹脂的半導(dǎo)體器件用間層絕緣膜
0076)絕緣襯底和半導(dǎo)體器件
0077)金屬－絕緣體－半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管
0078)貼合絕緣體基外延硅基片及其制造方法與半導(dǎo)體裝置
0079)包括金屬(*)制造絕緣體上應(yīng)變半導(dǎo)體襯底的方法
0081)半導(dǎo)體裝置的層間絕緣膜的形成方法
0082)絕緣體上半導(dǎo)體芯片
0083)絕緣體上半導(dǎo)體裝置的制造方法
0084)絕緣柵功率半導(dǎo)體器件
0085)絕緣柵型半導(dǎo)體器件
0086)形成半導(dǎo)體器件中金屬間絕緣層的方法
0087)具有金屬－絕緣體－金屬電容的半導(dǎo)體器件
0088)硅化物層和絕緣層之間不發(fā)生分離的半導(dǎo)體器件加工工藝
0089)多孔膜形成用組合物、多孔膜及其制造方法、層間絕緣膜和半導(dǎo)體裝置
0090)含有機硅烷化合物的絕緣膜用材料及其制法及半導(dǎo)體裝置
0091)制造絕緣層上硅的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的方法
0092)絕緣體上硅襯底和半導(dǎo)體集成電路器件
0093)采用局部絕緣體上半導(dǎo)體制作半導(dǎo)體器件的方法
0094)低介電常數(shù)絕緣膜形成用材料、低介電常數(shù)絕緣膜、低介電常數(shù)絕緣膜的形成方法及半導(dǎo)體器件
0095)含絕緣體的半導(dǎo)體裝置及其制造方法
0096)絕緣柵型半導(dǎo)體裝置及其制造方法
0097)包含金屬(*)絕緣柵型半導(dǎo)體裝置
0099)具有凹陷抵抗埋入絕緣層的絕緣層上有半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)
0100)耐高壓的絕緣體上的硅型半導(dǎo)體器件
0101)埋置絕緣層上硅晶片頂層中制作有半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體器件的制造方法
0102)平面超薄絕緣體上半導(dǎo)體溝道MOSFET及其制造方法
0103)在絕緣體半導(dǎo)體器件上的半導(dǎo)體及其制造方法
0104)場增強金屬絕緣體(*)半導(dǎo)體器件、靜電放電保護元件及防護絕緣擊穿的方法
0106)“絕緣體上的硅”半導(dǎo)體裝置及其制造方法
0107)包括阻擋絕緣層的半導(dǎo)體器件以及相關(guān)方法
0108)硅絕緣體基片、半導(dǎo)體基片及它們的制造方法
0109)一種含鎂鋅氧的金屬－絕緣層－半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制備工藝
0110)金屬/絕緣體/金屬電容結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置
0111)超薄絕緣體基外延硅金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的閾值電壓調(diào)節(jié)方法
0112)內(nèi)嵌導(dǎo)熱絕緣體具散熱片的新型半導(dǎo)體器件封裝結(jié)構(gòu)
0113)金屬絕緣體半導(dǎo)體晶體管和互補金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管
0114)具有不同厚度柵極絕緣膜的半導(dǎo)體器件的制造方法
0115)具有絕緣柵型雙極晶體管的半導(dǎo)體器件及其制造方法
0116)具多厚度絕緣層上半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)及其形成方法
0117)應(yīng)變半導(dǎo)體覆絕緣層型基底及其制造方法
0118)絕緣膜、半導(dǎo)體器件及其制造方法
0119)具有半絕緣性氧化鋅半導(dǎo)體薄膜與硅的異質(zhì)結(jié)的光敏二極管
0120)絕緣體上半導(dǎo)體裝置和方法
0121)具有縱向金屬絕緣物半導(dǎo)體晶體管的半導(dǎo)體器件及其制造方法
0122)絕緣膜的形成方法及其形成系統(tǒng)、半導(dǎo)體裝置的制造方法
0123)絕緣層上有半導(dǎo)體的晶片
0146)通過柵形成的絕緣體上硅互補金屬氧化物半導(dǎo)體體接觸
0156)絕緣膜的形成方法和半導(dǎo)體裝置的制造方法
0157)絕緣半導(dǎo)體管殼
0158)具多厚度絕緣層上半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)
0159)硅半導(dǎo)體二極管元件和芯片與絕緣胴體的結(jié)構(gòu)及其制法
0160)多孔膜形成用組合物,多孔膜的制備方法,多孔膜、層間絕緣膜和半導(dǎo)體器件
0161)含有有機硅烷、有機硅氧烷化合物形成的絕緣膜用材料、其制造方法和半導(dǎo)體器件
0162)導(dǎo)電和絕緣準氧化鋅襯底及垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體發(fā)光二極管
0163)絕緣柵半導(dǎo)體器件及其制造方法
0164)形成半導(dǎo)體基體上的絕緣膜的方法
0165)垂直型金屬絕緣體半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管及其制造方法
0166)具有含氮柵絕緣膜的半導(dǎo)體器件及其制造方法
0167)絕緣柵極型半導(dǎo)體裝置
0168)薄型絕緣半導(dǎo)體之絕緣間隙壁
0169)生產(chǎn)具有半導(dǎo)體或絕緣體的金屬復(fù)合團簇的方法及裝置
0170)絕緣膜的制造方法及半導(dǎo)體器件的制造方法
0171)含有機硅烷化合物的絕緣膜用材料及其制法及半導(dǎo)體裝置
0172)具有沉積阻擋層的玻璃絕緣體上的半導(dǎo)體
0173)一種具有多孔絕緣層和空氣隙的半導(dǎo)體設(shè)備的制造方法
0174)具有鐵電膜作為柵極絕緣膜的半導(dǎo)體器件及其制造方法
0175)包括絕緣膜的半導(dǎo)體器件及其制造方法
0176)具有元件分離絕緣膜的半導(dǎo)體裝置的制造方法
0177)金屬絕緣體金屬或金屬絕緣體半導(dǎo)體電子源的結(jié)構(gòu)和制造方法
0178)含低介電常數(shù)絕緣膜的半導(dǎo)體裝置的制造方法
0179)絕緣膜半導(dǎo)體裝置及方法
0180)半導(dǎo)體裝置及該半導(dǎo)體裝置用絕緣襯底
0181)低消耗功率金屬(*)具有絕緣體上硅結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件及其制造方法
0183)印刷電路板、半導(dǎo)體封裝、基底絕緣膜以及互連襯底的制造方法
0184)具有改進開關(guān)特性的硅上絕緣體LD金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
0185)絕緣柵極型半導(dǎo)體裝置及其制造方法
0186)耐高壓的絕緣體上的硅型半導(dǎo)體器件
0187)包含多孔絕緣材料的半導(dǎo)體器件及其制造方法
0188)為高級MIS半導(dǎo)體器件形成帶凹槽的柵絕緣層的方法及用該方法獲得的器件
0189)絕緣體上半導(dǎo)體(SOI)結(jié)構(gòu)及其制造方法
0190)絕緣膜以及半導(dǎo)體器件的制造方法
0191)絕緣柵型半導(dǎo)體裝置
0192)電容絕緣膜及其制造方法、電容元件及其制造方法和半導(dǎo)體存儲裝置及其制造方法
0193)制造絕緣層和半導(dǎo)體器件的方法及由此形成的半導(dǎo)體器件
0194)絕緣體上半導(dǎo)體芯片及其制造方法
0195)帶有相互電絕緣的連接元件的功率半導(dǎo)體模塊
0196)場絕緣膜上表面平坦的半導(dǎo)體器件及其方法
0197)絕緣液體小片接合劑和半導(dǎo)體器件
0198)含有絕緣柵場效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體器件及其制造方法
0199)絕緣柵型雙極型半導(dǎo)體裝置
0200)利用淺溝槽絕緣方法絕緣半導(dǎo)體器件的方法
0201)含高介電常數(shù)絕緣膜的半導(dǎo)體設(shè)備和該設(shè)備的制造方法
0202)金屬(*)在基板上形成絕緣膜的方法、半導(dǎo)體裝置的制造方法和基板處理裝置
0204)具有絕緣涂層的半導(dǎo)體片式器件及其制造方法
0205)絕緣柵型半導(dǎo)體裝置
0206)貯存用于形成半導(dǎo)體器件用夾層絕緣膜的涂布溶液的方法
0207)具有柵極絕緣膜的半導(dǎo)體裝置及其制造方法
0208)絕緣柵半導(dǎo)體器件及其新型自對準制造方法
0209)在絕緣體上制造應(yīng)變結(jié)晶層的方法和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及得到的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
0210)半導(dǎo)體裝置、電子系統(tǒng)、存儲卡以及使引線絕緣的方法
0211)絕緣襯底上制備高質(zhì)量半導(dǎo)體晶體薄膜的方法
0212)形成多孔膜的組合物、多孔膜及其形成方法、層間絕緣膜和半導(dǎo)體器件
0213)耐熱性樹脂的預(yù)聚體,耐熱性樹脂,絕緣膜和半導(dǎo)體裝置
0214)快速開關(guān)功率絕緣柵半導(dǎo)體器件
0215)評價用于半導(dǎo)體裝置的絕緣膜的特性的方法以及形成該絕緣膜的方法
0216)具有低介電常數(shù)絕緣膜的半導(dǎo)體器件及其制造方法
0217)絕緣膜氮化方法、半導(dǎo)體裝置及其制造方法、基板處理裝置和基板處理方法
0218)具有晶體管柵極絕緣體的半導(dǎo)體器件
0219)使用通過加熱的化學反應(yīng)和擴散制造化合物半導(dǎo)體和化合物絕緣體的方法、使用該方法制造的化合物半導(dǎo)體和化合物絕緣體、以及使用該化合物半導(dǎo)體和化合物絕緣體的光電池、電子電路、晶體管和儲存器
0220)應(yīng)變半導(dǎo)體覆絕緣層型基底及其制造方法
0221)半導(dǎo)體襯底及制備方法和在絕緣體上的硅與外延中的應(yīng)用
0222)采用突變金屬(*)制造過氧化物交聯(lián)絕緣層和/或半導(dǎo)體層電纜的方法和設(shè)備
0224)絕緣膜形成材料,絕緣膜,形成絕緣膜的方法及半導(dǎo)體器件
0225)具有復(fù)合絕緣層的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)
0226)圖案化有機材料以同時形成絕緣體和半導(dǎo)體的方法以及由此制成的器件
0227)具有電流控制電阻效應(yīng)的摻雜半導(dǎo)體/絕緣體/半導(dǎo)體材料
0228)集成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和應(yīng)變絕緣硅的制造方法及應(yīng)變絕緣硅
0229)抗高溫應(yīng)力的應(yīng)力絕緣體上半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
0230)可剝離半導(dǎo)體絕緣屏蔽
0231)具有不同晶向硅層的絕緣體上硅半導(dǎo)體裝置以及形成該絕緣體上硅半導(dǎo)體裝置的方法
0232)絕緣柵半導(dǎo)體器件及其制造方法
0233)含大量絕緣柵場效應(yīng)晶體管的高集成電路半導(dǎo)體器件
0234)在半導(dǎo)體基片上形成溝槽絕緣的方法
0235)含有柵絕緣層的異質(zhì)結(jié)型有機半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管及制作方法
0236)氧化硅膜、其制備方法以及具有使用其的柵極絕緣膜的半導(dǎo)體器件
0237)絕緣柵功率半導(dǎo)體的柵極驅(qū)動
0238)具有有機聚合物柵極絕緣層的有機半導(dǎo)體晶體管的制造方法
0239)半導(dǎo)體裝置及互補型金屬絕緣半導(dǎo)體邏輯電路
0240)絕緣柵晶體管、其制造方法和半導(dǎo)體集成電路器件
0241)“絕緣體上的硅”結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置
0242)形成絕緣膜的組合物以及制造半導(dǎo)體器件的方法
0243)具含納米微粒絕緣層之半導(dǎo)體組件裝置
0244)半導(dǎo)體或絕緣材料層的機械(*)具有部分絕緣體基或部分空洞基外延硅構(gòu)造的半導(dǎo)體器件
0246)有機絕緣膜、其制造方法、使用該有機絕緣膜的半導(dǎo)體器件及其制造方法
0247)應(yīng)變絕緣體上半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及應(yīng)變絕緣體上半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法
0248)硅鍺/絕緣體上外延硅互補金屬氧化物半導(dǎo)體及其制造方法
0249)半絕緣襯底長波長半導(dǎo)體激光器及其制作方法
0250)作為在半導(dǎo)體器件中的層內(nèi)和層間絕緣體的超低介電常數(shù)材料及其制造方法、以及包含該材料的電子器件
0251)半導(dǎo)體裝置的絕緣膜形成方法及半導(dǎo)體裝置
0252)用于在半導(dǎo)體器件的諸金屬布線之間形成絕緣薄膜的方法
0253)輸出電壓檢測電路、絕緣型開關(guān)電源及半導(dǎo)體器件
0254)絕緣柵型半導(dǎo)體裝置
0255)具有抗凹蝕絕緣層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
0256)用于具有遵循表面輪廓的電絕緣材料層的功率半導(dǎo)體的布線工藝
0257)硅氧烷基樹脂及用其制造的半導(dǎo)體的層間絕緣膜
0258)具有注入漏極漂移區(qū)和厚底部氧化物的溝槽金屬(*)絕緣柵型半導(dǎo)體器件及其制造方法
0260)對絕緣體上半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進行拋光的方法
0261)絕緣柵極半導(dǎo)體器件及其生產(chǎn)方法
0262)具有絕緣體上半導(dǎo)體（SOI）構(gòu)造且在薄半導(dǎo)體層上包含超晶格的半導(dǎo)體器件及相關(guān)方法
0263)硅氧烷基的樹脂和使用其制造的半導(dǎo)體器件的層間絕緣膜
0264)能用低介電常數(shù)非晶氟化碳膜作為層間絕緣材料的半導(dǎo)體器件及其制備方法
0265)金屬氧化物半導(dǎo)體絕緣工藝
0266)形成半導(dǎo)體器件的層間絕緣膜的方法
0267)在絕緣膜上形成凹狀圖形的半導(dǎo)體裝置及其制造方法
0268)一種砷化鎵基半導(dǎo)體(*)絕緣橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）集成電路技術(shù)
0270)半導(dǎo)體器件用的絕緣薄膜
0271)表面覆有無機半導(dǎo)體納米薄膜的瓷或玻璃絕緣子
0272)具有硅絕緣體區(qū)域和體區(qū)域的半導(dǎo)體裝置及其制造方法
0273)生產(chǎn)高密度半導(dǎo)體功率器件的鈷(*)半導(dǎo)體裝置的具有低介電常數(shù)的絕緣層的淀積方法
0275)具有溝渠絕緣的半導(dǎo)體電路裝置及其制造方法
0276)半導(dǎo)體元件及制造鑲嵌結(jié)構(gòu)中的金屬絕緣金屬電容的方法
0277)具有復(fù)合絕緣層的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)



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