金屬硅技術(shù)資料-被覆金屬氧化物-載有機(jī)稀土金屬-互補(bǔ)式金屬-金屬鐵-堿土金屬的硅類(lèi)資料（298元/全套）選購(gòu)時(shí)請(qǐng)記住本套資料（光盤(pán)）售價(jià)：298元；資料（光盤(pán)）編號(hào)：F150287
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《金屬硅資料》包括專(zhuān)利技術(shù)全文資料461份。
0001)氮化硅質(zhì)燒結(jié)體及其制造方法,和使用其的耐熔融金屬用構(gòu)件、耐磨損用構(gòu)件

0011)金屬硅化柵極及其形成方法
0012)在半導(dǎo)體晶片上形成自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物接觸物的方法
0013)半導(dǎo)體元件的自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物層形成方法
0014)過(guò)渡金屬氧化物／二氧化硅納米復(fù)合粉體催化劑及其合成方法和該催化劑用于制備碳納米管
0015)CMOS硅化物金屬柵集成
0016)利用圖案化金屬結(jié)構(gòu)增加氮化硅表面粘著度的方法
0017)利用自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物制程形成多晶硅電容器的方法
0018)含有中和氣味的金屬氧化物硅酸鹽的組合物
0019)硅鍺/絕緣體上外延硅互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體及其制造方法
0020)改善金屬硅化物工藝產(chǎn)生橋連現(xiàn)象的清洗方法
0021)局部形成自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物的方法
0022)溶液法金屬誘導(dǎo)晶化大晶粒多晶硅薄膜材料及制備和應(yīng)用
0023)電流控制硅互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體寬帶數(shù)據(jù)放大器電路
0024)使用呈混合物的脲基硅烷和多甲硅烷基官能化硅烷處理金屬的方法
0025)堿金屬硅酸鹽(*)堿金屬硅酸鹽膠泥復(fù)合板體及其制作方法
0027)金屬涂裝前硅烷偶聯(lián)預(yù)膜劑的制備方法
0028)與硅之間具有金屬氧化物界面的半導(dǎo)體構(gòu)造的制造方法
0029)一種含結(jié)晶硅鋁酸鹽沸石和貴金屬的催化劑及其制備方法
0030)含有在4(*)一種含硅碳鏈聚合物的雙金屬氰化物絡(luò)合催化劑
0032)摻雜碳的二氧化硅膜的沉積方法與金屬內(nèi)連線的制造方法
0033)自固載化的硅橋含烯烴基團(tuán)茂金屬烯烴聚合催化劑及其制備方法
0034)包含金屬硅化物柵和溝道注入的晶體管構(gòu)件及其制造方法
0035)用以改善硅片表面金屬離子污染的清洗方法
0036)測(cè)定金屬硅中磷含量的方法
0037)硅器件芯片背面銀系濺射金屬化
0038)微波氫等離子體制備金屬硅化物薄膜的方法
0039)涂覆有金屬電鍍層的單晶硅基片和垂直磁記錄介質(zhì)
0040)在金屬催化劑存在下通過(guò)脫氫縮合可交聯(lián)的有機(jī)硅組合物
0041)一種二價(jià)銪激活的堿土金屬磷硅酸鹽熒光粉及其制備方法
0042)一種含碳化硅、鐵、碳、鉻的鉬基金屬陶瓷
0043)一種具有金屬硅化物納米結(jié)構(gòu)的材料及其制作方法
0044)使用硅化的金屬柵極電極以及其形成方法
0045)用于制備金屬茂的含有至少一個(gè)氟硅氧烷取代基的配體
0046)組合式硅橡膠外套金屬氧化物避雷器
0047)用于多晶硅低溫結(jié)晶化的金屬催化劑摻雜裝置及通過(guò)該裝置進(jìn)行摻雜的方法
0048)實(shí)現(xiàn)超大規(guī)模集成電路難熔金屬硅化物阻擋層的方法
0049)一種具有金屬上擴(kuò)散層的金屬誘導(dǎo)多晶硅薄膜制造方法
0050)可燒結(jié)耐火金屬氧化物或硅石的多孔膜和其制法
0051)使用氮化工藝的多晶硅化金屬柵極制程
0052)金屬層或金屬硅化物層結(jié)構(gòu)化法以及用該法制造的電容器
0053)含硅鍺層的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件和基片及形成方法
0054)多晶硅(*)無(wú)定形硅酸鈉(*)具有金屬和多晶硅柵電極的高性能電路及其制造方法
0057)為了提高耐蝕性使用含溶解的無(wú)機(jī)硅酸鹽或鋁酸鹽、有機(jī)官能性硅烷和非官能性硅烷的水溶液預(yù)處理金屬
0058)用于寬編程的雙金屬/多晶硅氧化物氮化物氧化物硅存儲(chǔ)器單元
0059)移除柵極上的金屬硅化物層的方法及蝕刻方法
0060)物理氣相沉積金屬層的預(yù)處理與硅化金屬層的制作方法
0061)制備晶狀堿金屬硅酸鹽顆粒和粒狀高密度洗滌劑的方法
0062)提純堿金屬硅酸鹽溶液的方法
0063)鹵化鎂/二氧化硅負(fù)載的半茂金屬催化劑及其制備與應(yīng)用
0064)從堿金屬的硅酸鹽制備納米二氧化硅顆粒的方法
0065)用于同時(shí)形成硅上金屬電容器的最佳透過(guò)注入
0066)減少硅晶片中的金屬雜質(zhì)的方法
0067)用于圖像傳感器的自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物處理方法
0068)金屬硅化物與其制造方法與半導(dǎo)體組件的制造方法
0069)氮化硅電熱塞中氮化硅與金屬的一步活性連接方法
0070)具有涂布過(guò)金屬氧化物的二氧化硅顆粒表面的水流展性涂層
0071)硅基液晶顯示裝置的金屬反射層的制作方法
0072)完全金屬硅化柵極與無(wú)金屬硅化電阻與其制備方法
0073)基于鉑和非鉑過(guò)渡金屬化合物的混合物在提高聚硅氧烷高彈體弧阻性能方面的用途
0074)硅膠與金屬?gòu)椘�結(jié)合的按鍵
0075)包含堿金屬的硅化物組合物和制備它的方法
0076)高壓金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)結(jié)構(gòu)及其制造方法
0077)高分子化含硅橋基茂金屬的雙活性中心烯烴聚合催化劑的制備方法
0078)堿土金屬硅鋁酸鹽微晶玻璃的增強(qiáng)
0079)一種堿土金屬磷硅酸鹽白色光發(fā)射熒光粉及其制造方法
0080)一種粉末冶金金屬硅太陽(yáng)能電池襯底制備工藝
0081)浸沾法金屬誘導(dǎo)碟形晶疇多晶硅薄膜材料及制備和應(yīng)用
0082)加強(qiáng)型碳化硅／金屬?gòu)?fù)合管
0083)堿土金屬硅酸鹽纖維的改性
0084)一種自對(duì)準(zhǔn)難溶金屬硅化合物阻擋層的刻蝕方法
0085)一種納米復(fù)合物二氧化硅(*)一種去除硅化物形成過(guò)程中多余金屬的方法
0087)微孔和中孔晶狀金屬硅酸鹽的制備方法,由該方法得到的產(chǎn)物及其應(yīng)用
0088)在金屬催化劑存在下可通過(guò)脫氫縮合交聯(lián)的有機(jī)硅組合物
0089)金屬改性小孔磷硅鋁型分子篩催化劑及其制備方法和應(yīng)用
0090)長(zhǎng)鏈正構(gòu)雙烯選擇性加氫中孔氧化硅鈀金屬催化劑及應(yīng)用
0091)一種化學(xué)提高金屬硅純度的生產(chǎn)方法
0092)金屬內(nèi)連線制程及清除金屬硅化物層的方法
0093)包括受應(yīng)力的柵極金屬硅化物層的高性能MOSFET及其制作方法
0094)多金屬氧簇/二氧化硅透明雜化材料的制備方法
0095)以乙烯基硅烷與雙甲硅烷基氨基硅烷的水性混合物對(duì)金屬表面的保護(hù)性處理
0096)包覆有二氧化硅的金屬納米顆粒及其制造方法
0097)可應(yīng)用自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物的屏蔽式只讀存儲(chǔ)器的制造方法
0098)金屬硅化物層設(shè)于源、漏區(qū)域上及柵極上的半導(dǎo)體器件及其制造方法
0099)非水電解質(zhì)二次電池負(fù)極材料和用于此的金屬硅粉
0100)使用金屬硅酸鹽催化劑制備線性增量的多亞烷基多胺的方法
0101)一種金屬硅材料的制備方法
0102)以富硅烷組合物涂布金屬表面的方法
0103)具有不同金屬硅化物部分的半導(dǎo)體器件的制造方法
0104)具有高性能集成電路多晶硅凝集熔消組件的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體的工藝
0105)從硅中去除銅及其它金屬雜質(zhì)的工藝
0106)用堿土金屬生產(chǎn)新型復(fù)合脫氧劑硅鋁鋇鐵合金
0107)可改善接面電性特性的自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物的制造方法
0108)剝落硅酸鹽結(jié)構(gòu)中的金屬氧化物納米顆粒
0109)一種新型金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極結(jié)構(gòu)及其制備工藝
0110)一種二價(jià)銪激活的堿土金屬硅酸鹽熒光粉及其制備方法
0111)納米晶硅金屬箔膜太陽(yáng)電池及其制備方法
0112)制作高張力薄膜及應(yīng)變硅金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的方法
0113)含金屬離子硅磷鋁分子篩的制備方法
0114)雙電容金屬氧化物半導(dǎo)體硅基高速高調(diào)制效率電光調(diào)制器
0115)在乏硅環(huán)境下使用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積制程的金屬柵極的氮氧間隔體的形成方法
0116)用于涂覆金屬的聚酰胺和硅烷基自粘型粉末涂料
0117)一種介孔硅金屬層柱粘土材料的制備方法
0118)增大硅片單位面積金屬(*)固相堿金屬硅酸鹽復(fù)合泡沫材料
0120)從金屬氧化物化合物生產(chǎn)鋁鎂硅等金屬的方法
0121)水性常溫固化氟硅金屬質(zhì)感涂料
0122)局部形成自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物的方法
0123)用乙烯基硅烷防止金屬板腐蝕的方法
0124)生產(chǎn)金屬硅的方法及該法所用的還原劑
0125)氧化硅基復(fù)合金屬氧化物的制備方法
0126)以硅鋁合金為還原劑制取金屬鎂的方法
0127)一種用硅鐵還原氧化鈣制備金屬鈣的方法
0128)使用金屬污染及熱處理識(shí)別單晶硅中的晶體缺陷區(qū)的方法
0129)金屬工件涂裝前硅烷處理的防護(hù)層
0130)具有高熔點(diǎn)金屬硅化物膜的半導(dǎo)體裝置制造方法
0131)微小線寬金屬硅化物結(jié)構(gòu)
0132)用于改進(jìn)碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管中反向?qū)舆w移率的方法
0133)互補(bǔ)金屬氧化物硅圖像傳感器的制造方法
0134)使用含碳硅和鍺化硅外延源/漏極的高性能應(yīng)力增強(qiáng)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管及制造方法
0135)雙組分水性環(huán)氧富鋅硅烷金屬防腐涂料
0136)金屬硅酸鹽(*)雙組分硅烷聚合物金屬重防腐水性工業(yè)涂料
0138)水可潤(rùn)濕的甲硅烷基化金屬氧化物
0139)一種小孔磷硅鋁分子篩的金屬改性方法
0140)用于形成局域金屬硅化物的工藝方法
0141)具有埋設(shè)金屬硅化物位線的金屬氧氮氧半導(dǎo)體裝置
0142)半導(dǎo)體器件的制造方法－其中在淀積金屬的過(guò)程中形成金屬硅化物
0143)可應(yīng)用自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物掩膜式只讀存儲(chǔ)器的制造方法
0144)金屬(*)以添加物改善金屬硅化物熱穩(wěn)定度的方法
0146)去除多晶硅中雜質(zhì)磷和金屬雜質(zhì)的方法及裝置
0147)一種硅基器件的金屬化接觸層結(jié)構(gòu)及其制備方法
0148)一種高溫耐磨耐蝕Ni(*)硅－金屬雙層結(jié)構(gòu)薄膜熱電堆
0150)金屬硅化物的制造方法
0151)基于含硅倍半氧烷金屬絡(luò)合物的聚合化合物的催化劑體系
0152)用于掩膜只讀存儲(chǔ)器單元陣列的自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物制程
0153)硅膠交聯(lián)殼聚糖合成重金屬吸附劑的方法
0154)金屬硅化雙層結(jié)構(gòu)及其形成方法
0155)自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物工藝
0156)一種由堿金屬的硅酸鹽制備納米二氧化硅的方法
0157)懸空硅層的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法
0158)局部形成硅化物金屬層的方法
0159)形成金屬硅化物的方法
0160)用于不飽和化合物的氫化硅烷化的卡賓基金屬催化劑的制備方法及得到的催化劑
0161)局部形成硅化物金屬層的方法
0162)用于應(yīng)變硅MOS晶體管的金屬硬掩模方法和結(jié)構(gòu)
0163)全硅化金屬柵極
0164)金屬硅化物阻擋結(jié)構(gòu)的形成方法及半導(dǎo)體器件
0165)磁性/金屬/熒光復(fù)合二氧化硅納米粒子及其制備方法
0166)使用原子層沉積工藝制造金屬硅酸鹽層的方法
0167)利用堿土金屬硅酸鹽催化劑的制造抗壞血酸的方法
0168)制造金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法
0169)金屬硅化物的形成方法
0170)制備金屬(*)應(yīng)用于金屬鐵電氧化物和硅單管單元存儲(chǔ)器的具有鈦緩沖層的高(*)碳化硅金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管和制造碳化硅金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法
0173)形成具有集成的金屬硅化物柵電極的晶體管的方法
0174)平面型單硅雙金屬層功率器件及制造方法
0175)用于硅基液晶微顯示光學(xué)引擎的金屬線柵偏振分/合光鏡
0176)含結(jié)晶硅鋁酸鹽沸石和貴金屬的催化劑及其制備方法
0177)集成電路金屬硅化物方法
0178)氨烷基硅凝膠固載有機(jī)稀土金屬樹(shù)形物催化劑及其制備方法
0179)特別用于金屬硅/二氧化硅的真空純化爐及純化方法
0180)組合物和使用烷氧基硅烷涂層涂覆金屬表面的方法
0181)甲硅烷基取代的環(huán)金屬化過(guò)渡金屬絡(luò)合物及利用它的有機(jī)電致發(fā)光器件
0182)高純硅酸鉀電熔爐重金屬電極的陰極保護(hù)技術(shù)
0183)化妝料、表面疏水化二氧化硅被覆金屬氧化物粒子、二氧化硅被覆金屬氧化物溶膠、以及它們的制法
0184)自緩釋金屬誘導(dǎo)晶化多晶硅薄膜材料的制備方法及應(yīng)用
0185)用于直接合成烷基鹵代硅烷的基于銅、磷和堿金屬的催化組合物
0186)新的聚硅氧烷聚合物的制備方法,用該方法制備的聚硅氧烷聚合物,熱固性樹(shù)脂組合物,樹(shù)脂膜,貼有絕緣材料的金屬箔,兩面貼有金屬箔的絕緣膜,貼有金屬的層壓板,多層貼有金屬的層壓板和多層印刷電路布線板
0187)聚硅氧烷涂覆的金屬氧化物顆粒
0188)用于制備金屬茂的含有至少一個(gè)氟硅氧烷取代基的配體
0189)在卡賓型金屬催化劑存在下通過(guò)氫化硅烷化可交聯(lián)成彈性體的有機(jī)硅組合物及此類(lèi)催化劑
0190)金屬源極/漏極肖特基勢(shì)壘懸空硅MOSFET器件及其方法
0191)節(jié)能型稀土金屬電解專(zhuān)用硅整流器
0192)形成場(chǎng)效應(yīng)晶體管的金屬硅化柵極的方法
0193)金屬硅酸鹽、纖維素產(chǎn)品及其工藝
0194)新型功能性過(guò)渡金屬硅酸鹽(FTMS)
0195)泡沫碳化硅/金屬雙連續(xù)相復(fù)合摩擦材料及其構(gòu)件和制備
0196)硅片表面金屬電極制作方法及開(kāi)槽器
0197)硅改性的氧化鋁及制備與在負(fù)載茂金屬催化劑中的應(yīng)用
0198)金屬硅化物的形成方法
0199)Ti(*)納米線碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
0201)納米銀包覆二氧化硅的金屬介電復(fù)合顆粒的制備方法
0202)硅烷組合物和將橡膠結(jié)合到金屬上的方法
0203)具有金屬硅化物隔離的存儲(chǔ)陣列
0204)一種碳化硅顆粒增強(qiáng)鋁金屬基復(fù)合材料的輕型汽車(chē)制動(dòng)盤(pán)
0205)含二氧化硅和分散劑的對(duì)金屬基底防腐蝕保護(hù)增強(qiáng)的可輻射固化制劑
0206)與硅具有結(jié)晶堿土金屬氧化物界面的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
0207)金屬硅酸鹽膜的形成方法以及記錄介質(zhì)
0208)形成金屬硅化物的方法
0209)硅廢棄片表面金屬的去除和貴金屬銀鉑金的回收方法
0210)通過(guò)柵形成的絕緣體上硅互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體體接觸
0211)從金屬硅制備超純硅的方法和裝置
0212)無(wú)堿金屬的鋁硼硅酸鹽玻璃及其用途
0213)局部金屬硅化的取代柵極
0214)金屬間介質(zhì)半導(dǎo)體制造中氟硅玻璃薄膜的氧氮化硅蓋層
0215)具有雙重全金屬硅化物柵極的半導(dǎo)體元件及其制造方法
0238)過(guò)渡金屬的還原方法、使用該方法的含硅聚合物的表面處理方法、過(guò)渡金屬微粒子的制造方法、物品及電路板的制造方法
0248)用于在金屬上沉積溶膠－凝膠涂層的巰基官能硅烷
0249)0.8微米硅雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體集成電路制造工藝
0250)中體積分?jǐn)?shù)鋁碳化硅金屬基復(fù)合材料組合物及制備產(chǎn)品的方法
0251)一種堿土金屬硅酸鹽熒光粉及其制備方法和應(yīng)用
0252)與硅具有結(jié)晶堿土金屬氧化物界面的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制造方法
0253)向金屬組合物施涂硅烷涂料的方法
0254)一種納米金屬鈀和鎳摻雜介孔氧化硅材料及其制備方法
0255)形成金屬硅化物的方法
0256)自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物的制造方法
0257)利用回收金屬鋰和回收四氫呋喃制備六甲基二硅烷的方法
0258)具有多樣的金屬硅化物的半導(dǎo)體元件及其制造方法
0259)在金屬和多晶硅化學(xué)機(jī)械研磨中減少大圖案凹陷的方法
0260)硅化物合金(*)通過(guò)在卡賓基金屬催化劑存在下氫化硅烷化可交聯(lián)成彈性體的硅氧烷組合物及此類(lèi)催化劑
0262)包含金屬和粒子填充的硅片直通通路的集成電路芯片
0263)金屬硅化層的制造方法
0264)在雙金屬/多晶硅氧化物氮化物氧化物硅陣列中的聯(lián)結(jié)及選取步驟
0265)含金屬(*)以水溶性堿金屬硅酸鹽化合物為基的改良的多組份混合物及其用途
0267)選擇性去除未被硅化的金屬的方法
0268)局部形成硅化金屬層的方法
0269)非晶硅金屬誘導(dǎo)晶化方法
0270)包括掩埋源電極的溝槽金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法
0271)通過(guò)循環(huán)沉積制備金屬硅氮化物薄膜的方法
0272)形成通過(guò)加入硅來(lái)調(diào)整功函數(shù)的金屬柵極結(jié)構(gòu)的方法
0273)一種金屬硅原料提純制備方法
0274)一種新型硅膠負(fù)載交聯(lián)殼聚糖重金屬離子吸附劑
0275)局部形成自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物的方法
0276)具有結(jié)晶堿土金屬硅氮化物/氧化物與硅界面的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
0277)一種含貴金屬的微孔鈦硅材料及其制備方法
0278)測(cè)繪在硅晶片表面上金屬雜質(zhì)濃度的工藝方法
0279)適用于自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物工藝的二極管
0280)金屬一氧化鋁一硅結(jié)構(gòu)濕度傳感器及其制備工藝
0281)硅化金屬制造的方法
0282)一種離子束應(yīng)用于金屬硅化物工藝缺陷分析的方法
0283)功率金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管
0284)用于二氧化硅或金屬硅酸鹽薄膜的前體
0285)以含至少兩種硅烷的混合物涂布金屬表面的方法
0286)用于同時(shí)形成硅上金屬電容器的最佳透過(guò)注入
0287)一種高密度可擦寫(xiě)的金屬(*)具有P＋多晶硅柵極的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制作方法
0289)去除硅單晶中重金屬雜質(zhì)的方法
0290)用硅烷劑/金屬化合物/手性配位體實(shí)施酮的對(duì)映體選擇性還原反應(yīng)
0291)改性層狀金屬硅酸鹽材料及其制備方法
0292)金屬硅化物濺鍍靶
0293)一種用剛玉爐渣低硅鐵生產(chǎn)金屬鎵的裝置
0294)作為活性表面增強(qiáng)拉曼光譜術(shù)襯底的金屬涂覆納米晶體硅
0295)硅(IV)化合物及其它金屬(IV)化合物的酶合成和修飾及降解
0296)超大規(guī)模集成電路難熔金屬硅化物的形成方法
0297)用作金屬間電介質(zhì)的低k和超低k有機(jī)硅酸鹽膜的疏水性的恢復(fù)
0298)在金屬硅化物形成后用于選擇性除去金屬或金屬合金的組合物及方法
0299)用碳化硅與金屬合成金剛石的方法
0300)金屬硅粉末及其制造方法、球狀二氧化硅粉末與樹(shù)脂組合物
0301)采用多晶硅柵和金屬柵器件的半導(dǎo)體芯片
0302)金屬硅通氧去鈣生產(chǎn)工藝
0303)圖像傳感器中采用化學(xué)機(jī)械拋光的自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物工藝
0304)一種微孔金屬磷酸硅鋁型分子篩及其合成方法
0305)帶有化學(xué)鍵合金屬化合物的中型有機(jī)多分子硅醚顆粒
0306)作為涂料、復(fù)合材料和添加劑的多面體低聚倍半硅氧烷和金屬化的多面體低聚倍半硅氧烷
0307)多晶硅ESD結(jié)構(gòu)保護(hù)的垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體功率器件
0308)金屬層制版印刷術(shù)中作抗反射涂層用的無(wú)定形硅
0309)金屬微粒熱穩(wěn)定的彈性有機(jī)多分子硅醚組合物以及所得的透明高彈體
0310)內(nèi)置金屬片的硅膠按鍵
0311)一種去除金屬硅中P、B雜質(zhì)的新方法
0312)制造絕緣層上硅的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法
0313)自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物制造方法
0314)使用硅烷進(jìn)行金屬防腐的方法
0315)金屬硅化物的制造方法
0316)包含堿金屬和堿金屬合金的硅膠組合物
0317)單一氧化硅層作為摻雜遮蔽層與金屬硅化物阻擋層的方法
0318)制備硅金屬、鋁硅和鋁金屬的方法
0319)一種基于熔鑄法的金屬硅太陽(yáng)能電池襯底制備工藝
0320)一種測(cè)量硅化金屬阻止區(qū)純電阻及界面電阻的方法
0321)制作應(yīng)變硅互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的方法
0322)一種納米硅鋁管復(fù)合金屬氧化物功能材料的制備方法
0323)硅化金屬柵極晶體管的結(jié)構(gòu)和方法
0324)作為氫化硅烷化催化劑的三氮烯氧化物——過(guò)渡金屬配合物
0325)可用于燈泡的耐高熱鋁堿土金屬硅酸鹽玻璃
0326)自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物的制造方法
0327)半導(dǎo)體元件及具有金屬硅化物的導(dǎo)線的制造方法
0328)一種硅片上金屬硅化物成長(zhǎng)質(zhì)量的檢測(cè)方法
0329)具有改進(jìn)開(kāi)關(guān)特性的硅上絕緣體LD金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
0330)三維介孔結(jié)構(gòu)非均相有機(jī)金屬配合物(*)鎳硅基金屬間化合物復(fù)合材料及其制備方法
0332)集成抗反射層與金屬硅化物塊的方法
0333)一種調(diào)制NiSi全硅化物金屬柵功函數(shù)的方法
0334)用作活性表面增強(qiáng)拉曼光譜術(shù)(SERS)基質(zhì)的涂覆有金屬的納米晶硅
0335)利用不溶陽(yáng)極進(jìn)行硅晶片的銅金屬化
0336)形成自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物的方法
0337)一種低溫制備無(wú)金屬催化劑的納米硅線的方法
0338)含有堿金屬氧化物的混合氧化物粉末以及含有該粉末的聚硅氧烷橡膠
0339)一種從多金屬尾礦中制備硅酸鈣粉體的方法
0340)使用金屬取代的二氧化硅干凝膠精煉油的方法和組合物
0341)微小線寬金屬硅化物及其制作方法
0342)薄硅化鎢層沉積和柵金屬集成
0343)具有被含有烯烴殘基的甲硅烷氧基或甲鍺烷氧基所取代的環(huán)戊二烯基配體的茂金屬催化劑
0344)用第Ⅳ族金屬配合物存在下的脫氫縮合反應(yīng)制備含有不飽和官能基的聚有機(jī)硅氧烷的方法
0345)甲硅烷基化的雙金屬氰化物絡(luò)合物催化劑
0346)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的金屬硅化工藝及晶體管結(jié)構(gòu)
0347)嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存的整合自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物閘極的制造方法
0348)四周帶金屬的鋁碳化硅封裝板材
0349)由負(fù)載于高純氧化硅上的過(guò)渡金屬組成的烯烴置換催化劑
0350)一種聚硅酸金屬鹽混凝劑的集成生產(chǎn)方法
0351)生產(chǎn)高密度半導(dǎo)體功率器件的鈷(*)在硅酸鹽生產(chǎn)中從硅酸鹽源中去除重金屬的方法
0353)過(guò)渡金屬多重?fù)诫s負(fù)溫度系數(shù)單晶硅熱敏電阻
0354)燃料電池用有機(jī)硅／稀土金屬鹽／無(wú)機(jī)多元酸（鹽）的質(zhì)子交換膜
0355)硅－金屬雙層結(jié)構(gòu)薄膜熱電堆
0356)高溫耐磨耐腐蝕Cr(*)多晶硅/體硅ESD結(jié)構(gòu)保護(hù)的垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體功率器件
0358)一種金屬改性的AFO結(jié)構(gòu)磷酸硅鋁分子篩及其應(yīng)用
0359)金屬化中孔硅酸鹽及用其進(jìn)行氧化的方法
0360)金屬元素合金化的片層鈮鉬硅基原位復(fù)合材料及其制備方法
0361)具有金屬硅化物層的半導(dǎo)體器件的制造方法
0362)一種硅氫加成反應(yīng)擔(dān)載型雙金屬催化劑及制備方法
0363)一種用低硅鐵生產(chǎn)金屬鎵的工藝及其裝置
0364)碳化硅／銅金屬陶瓷高溫電接觸復(fù)合材料制備方法
0365)金屬硅化物形成方法及半導(dǎo)體器件的制造方法
0366)用硅藻土處理有色金屬冶煉廢水的方法及其硅藻土污水處理劑
0367)一種硅基有機(jī)發(fā)光微顯示金屬陽(yáng)極及陰極隔離柱的制備方法
0368)硅片級(jí)金屬測(cè)試結(jié)構(gòu)電遷移測(cè)試中的溫度修正方法
0369)硅膠包覆的多金屬含氧簇合物納米粒子材料及其制備方法
0370)制作包含與硅的金屬氧化物界面的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法
0371)硅化物接觸和硅化物柵金屬集成的方法
0372)在集成電路中含硅導(dǎo)體區(qū)域形成改良的金屬硅化物部分的方法
0373)有機(jī)硅氧烷／金屬氧化物涂料
0374)含金屬離子硅磷鋁分子篩的合成方法
0375)半導(dǎo)體集成電路中監(jiān)控金屬硅化物形成質(zhì)量的結(jié)構(gòu)
0376)帶有防靜電二極管的金屬化硅芯片
0377)可避免短路的自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物制程的處理方法
0378)一種可抑制水稻吸收重金屬的稀土復(fù)合硅溶膠
0379)非晶態(tài)金屬纖維無(wú)硅碳基復(fù)合材料
0380)包含銀金屬微粒和硅烷衍生物的組合物
0381)金屬硅化物納米線及其制作方法
0382)金屬硅化物膜的制作方法和金屬氧化物半導(dǎo)體器件
0383)硅鋁酸鹽負(fù)載的鐵系后過(guò)渡金屬乙烯聚合催化劑的制備方法
0384)非金屬元素合金化的片層鈮鉬硅基原位復(fù)合材料及其制備方法
0385)帶金屬密封環(huán)的鋁碳化硅封裝外殼
0386)使用氧化鋁作為有機(jī)金屬硅絡(luò)合物的捕獲物質(zhì)
0387)具有金屬硅化物的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件與其工藝
0388)用于茂金屬催化劑組分的含環(huán)戊二烯基環(huán)的硅
0389)形成在源漏極上具有金屬硅化物的晶體管的方法
0390)利用有機(jī)材質(zhì)形成金屬硅化物保護(hù)電路的方法
0391)Tm3+/Yb3+共摻重金屬氧氟硅酸鹽玻璃及其制備方法
0392)硅化金屬阻止區(qū)的形成方法及半導(dǎo)體器件的制造方法
0393)半導(dǎo)體器件中金屬硅化物的單向擴(kuò)散
0394)預(yù)防自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物橋接的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其方法
0395)采用重?fù)诫s區(qū)內(nèi)引線制造硅表面金屬線圈的方法
0396)具有含硅金屬布線層的半導(dǎo)體器件及其制造方法
0397)半導(dǎo)體器件中金屬硅化物接觸的制造方法
0398)采用直接合成法合成結(jié)晶金屬硅鋁酸鹽的方法
0399)堿金屬硅酸鹽的制備方法
0400)一種冶煉化學(xué)級(jí)金屬硅的還原劑
0401)一種用電阻爐生產(chǎn)金屬硅的方法
0402)一種生產(chǎn)金屬硅的方法
0403)具有多樣的金屬硅化物的半導(dǎo)體元件
0404)減少在氮離子注入時(shí)產(chǎn)生多晶硅化金屬空洞的方法
0405)貴金屬負(fù)載介孔氮氧化硅復(fù)合催化劑及其制備方法
0406)用于CMOS器件的自形成金屬硅化物柵極
0407)制備互補(bǔ)金屬氧化物圖像傳感器(*)在硅襯底上制備結(jié)晶堿土金屬氧化物的方法
0409)硅酯和金屬氧化物的多層陶瓷涂層
0410)多晶硅化金屬柵極結(jié)構(gòu)及其制造方法
0411)一種硅橋連雙核茂金屬鋯化合物
0412)硅烷和金屬醇化物形成的非水性涂料組合物
0413)含有可與金屬陽(yáng)離子相容的二氧化硅的牙膏組合物
0414)制備有金屬硅化物膜的半導(dǎo)體器件的方法
0415)貴金屬/二氧化硅(*)金屬硅定向凝固簡(jiǎn)易裝置
0417)金屬氧硅化物的單源混合物
0418)制作應(yīng)變硅互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的方法
0419)防金屬與硅層間側(cè)向交互擴(kuò)散的方法和結(jié)構(gòu)及微機(jī)電結(jié)構(gòu)
0420)應(yīng)用雙官能聚硫硅烷的金屬的腐蝕防護(hù)
0421)在催化金屬絡(luò)合物的存在下通過(guò)氫化硅烷化含有至少一個(gè)其中包括氧原子的烴環(huán)的合成子來(lái)制備硅油的方法
0422)形成熱穩(wěn)定金屬硅化物的方法
0423)使用呈混合物的氨基硅烷和多甲硅烷基官能化硅烷處理金屬的方法
0424)甲硅烷氫化物功能樹(shù)脂上的無(wú)電金屬沉積
0425)金屬硅化物熔體浸滲碳化硅坯件制備復(fù)合材料方法
0426)形成半導(dǎo)體裝置的折射－金屬－硅化物層的方法
0427)含有金屬酸根改性二氧化硅顆粒的含水漿料
0428)一種金屬卟啉/二氧化硅降解劑的制備方法
0429)金屬和含硅部件的組件的擴(kuò)散阻擋層及其形成方法
0430)無(wú)外延襯底中隔離的互補(bǔ)金屬氧化物硅器件
0431)發(fā)光的堿土金屬原硅酸鹽及相關(guān)的發(fā)光屏和低壓汞汽放電燈
0432)一種含堿土金屬的硅磷鋁分子篩及其合成
0433)表面改性的涂布有二氧化硅的非金屬/金屬氧化物
0434)用雙金屬氰化物催化劑制備的聚醚與聚硅氧烷的共聚物
0435)礦冶化聯(lián)產(chǎn)金屬鋁、硅、乙炔及煤氣的方法
0436)具有金屬硅化物薄膜的半導(dǎo)體器件及制造方法
0437)二乙基硅烷作為沉積金屬硅酸鹽膜的硅源
0438)用于金屬表面預(yù)處理的以硅烷偶聯(lián)劑為主要成分的金屬表面處理劑
0439)含鋁、硅、錳和稀土金屬的耐蝕鎂基合金
0440)用于燈泡的含堿土金屬的硼鋁硅酸鹽玻璃及其應(yīng)用
0441)高壓應(yīng)力薄膜與應(yīng)變硅金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管及其制法
0442)應(yīng)變硅互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制作方法
0443)用于油墨接受體的金屬離子官能化的二氧化硅表面
0444)一種金屬硅的提純?cè)O(shè)備
0445)用硅藻精土處理高濃度重金屬?gòu)U水的方法
0446)高介電常數(shù)金屬硅酸鹽的原子層沉積
0447)金屬改性聚甲基硅烷及其制備方法和應(yīng)用
0448)多晶硅表面金屬雜質(zhì)的清除
0449)金屬硅酸鹽膜的成膜方法及其裝置、半導(dǎo)體裝置的制造方法
0450)一種內(nèi)含貴金屬納米顆粒的二氧化硅空心球的合成方法
0451)從金屬硅中除去硼的方法和裝置
0452)無(wú)定型堿金屬硅酸鹽組合物
0453)德?tīng)査�摻雜的碳化硅金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法
0454)在金屬表面沉積硅的工藝中促進(jìn)硅化合物分解的方法
0455)包含金屬摻雜的硅基凝膠材料的空氣過(guò)濾介質(zhì)
0456)金屬硅化物的制造方法
0457)局部形成硅化金屬層的方法
0458)形成屏蔽式只讀存儲(chǔ)器中的金屬硅化物的方法
0459)使用基于金屬和含二氧化硅的氧化鋯的組合物催化氧化一氧化碳和烴的氣體處理方法
0460)納米線碳化硅金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
0461)金屬飾品澆注成型用硅橡膠模具材料及其應(yīng)用



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