多晶硅技術(shù)資料-多晶硅晶體管-避免多晶硅-晶粒多晶硅-金屬誘導(dǎo)多晶硅-粗糙度的多晶硅類資料（398元/全套）選購時(shí)請(qǐng)記住本套資料（光盤）售價(jià)：398元；資料（光盤）編號(hào)：F150029
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《多晶硅資料》包括專利技術(shù)全文資料538份。
0001)限定多晶硅圖案的方法

0011)多晶硅化學(xué)氣相沉積方法和裝置
0012)多晶硅層的制作方法
0013)多晶硅太陽能發(fā)電并網(wǎng)裝置
0014)多晶硅氫還原爐
0015)多晶硅氫還原爐的硅芯棒加熱啟動(dòng)方法
0016)多晶硅棒及其制造方法
0017)高質(zhì)量單晶制造中堆積和熔化多晶硅的方法
0018)一種減少多晶硅生長工藝崩邊的石英舟
0019)具復(fù)合多晶硅層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用的顯示面板
0020)N型摻雜多晶硅的制造方法
0021)形成多晶硅結(jié)構(gòu)
0022)多晶硅薄膜晶體管的制作方法
0023)多晶硅鑄錠爐的硅液溢流承接裝置
0024)利用側(cè)墻和多晶硅固相擴(kuò)散制作納米CMOS器件的方法
0025)多晶硅層結(jié)構(gòu)與其形成方法以及平面顯示器
0026)一種嵌入物包括碳化硅晶須的多成份碳化硅陶瓷
0027)去除多晶硅殘留的方法
0028)具有輕摻雜漏極區(qū)的多晶硅薄膜晶體管的制造方法
0029)形成多晶硅層以及制作多晶硅薄膜晶體管的方法
0030)用于評(píng)估多晶硅薄膜的裝置
0031)為快速擦寫存儲(chǔ)器裝置的多晶硅提供摻雜質(zhì)濃度的方法
0032)利用多晶硅區(qū)的I/O ESD保護(hù)的系統(tǒng)和方法
0033)一種多晶硅的提純方法及其凝固裝置
0034)減小微溝道效應(yīng)的多晶硅刻蝕工藝
0035)利用雙鑲嵌工藝來制造T型多晶硅柵極的方法
0036)多晶硅層、使用其的平板顯示器及其制造方法
0037)形成低溫多晶硅薄膜晶體管的方法
0038)用于連續(xù)橫向固化技術(shù)的掩膜及用其形成多晶硅層的方法
0039)低溫多晶硅薄膜晶體管的制造方法
0040)多晶硅太陽能發(fā)電并網(wǎng)裝置
0041)為快速電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器單元形成相對(duì)于有源區(qū)自對(duì)準(zhǔn)的浮動(dòng)?xùn)哦嗑Ч鑼拥姆椒?BR>0042)多晶硅的制作方法和使用多晶硅的開關(guān)器件
0043)液晶顯示器的多晶硅薄膜晶體管及其制造方法
0044)利用放熱反應(yīng)制備多晶硅的方法
0045)多晶硅融化摻氮生長微氮硅單晶的方法
0046)改進(jìn)型多晶硅還原爐
0047)用于多晶體“碳頭料”硅碳分離的腐蝕液及其制備方法
0048)多晶硅(*)一種具有金屬上擴(kuò)散層的金屬誘導(dǎo)多晶硅薄膜制造方法
0050)化學(xué)機(jī)械拋光用于接合多晶硅插拴制造方法及其結(jié)構(gòu)
0051)用于沉積多晶硅的CVD裝置
0052)形成具有粗糙表面的多晶硅的方法
0053)生成低電阻自對(duì)準(zhǔn)多晶硅化物柵極和臺(tái)面接觸區(qū)MOSFET器件的結(jié)構(gòu)和方法
0054)多晶硅鑄錠爐的熱場節(jié)能增效裝置
0055)自緩釋金屬誘導(dǎo)晶化多晶硅薄膜材料的制備方法及應(yīng)用
0056)制備多晶硅薄膜的方法以及用其制備半導(dǎo)體器件的方法
0057)改善柵極多晶硅層電阻值的方法
0058)低電壓單層多晶硅電可擦編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)存儲(chǔ)單元
0059)在屏蔽的柵極場效應(yīng)晶體管中形成多晶硅層間電介質(zhì)的結(jié)構(gòu)和方法
0060)一種單層多晶硅、多位的非易失性存儲(chǔ)元件及其制造方法
0061)采用多晶硅柵和金屬柵器件的半導(dǎo)體芯片
0062)薄膜晶體管及低溫多晶硅薄膜晶體管之多晶硅層的制造方法
0063)具有多晶硅熔絲的半導(dǎo)體器件及其微調(diào)方法
0064)玻璃襯底的預(yù)多晶硅被覆
0065)多晶硅的除硼方法
0066)具有半絕緣多晶硅吸雜位置層的半導(dǎo)體襯底及其制造方法
0067)多晶硅爐的噴嘴
0068)多晶硅襯底和太陽能電池的制備方法
0069)包括多晶硅薄膜晶體管的平板顯示裝置及其制造方法
0070)多晶硅薄膜的制造方法
0071)合成多晶硅原料三氯氫硅的方法
0072)測量多晶硅薄膜熱膨脹系數(shù)的測量結(jié)構(gòu)及其測量方法
0073)多晶硅介質(zhì)平坦化的方法
0074)由多晶硅爐料制備熔硅熔料的方法
0075)用于拋光多晶硅的化學(xué)機(jī)械拋光液
0076)精密多晶硅電阻器工藝
0077)一種改進(jìn)型柵極多晶硅掩膜層去除方法
0078)低溫多晶硅薄膜晶體管
0079)低溫多晶硅薄膜制作方法
0080)低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法
0081)多晶硅層的處理方法
0082)一種多晶硅電容耦合OTP器件及其制造方法
0083)單層多晶硅電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器
0084)非晶硅多結(jié)核電池
0085)一種在集成電路中使用α多晶硅的方法
0086)光及電可編程硅化多晶硅熔絲器件
0087)無粉塵且無微孔的高純度粒狀多晶硅
0088)包含多晶硅的半導(dǎo)體器件及其制造方法
0089)低溫多晶硅薄膜晶體管及其通道層的制造方法
0090)制造多晶硅薄膜的方法及用其制造晶體管的方法
0091)多晶硅薄膜晶體管及其制造方法
0092)低溫多晶硅薄膜的制造方法
0093)一種多晶硅振動(dòng)膜硅微電容傳聲器芯片及其制備方法
0094)低溫多晶硅驅(qū)動(dòng)電路
0095)多柵雙溝道結(jié)構(gòu)的多晶硅薄膜晶體管
0096)多晶硅基片結(jié)晶度的測量方法及其應(yīng)用
0097)多晶硅太陽電池絨面的制備方法
0098)利用自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物制程形成多晶硅電容器的方法
0099)直接沉積多晶硅的方法
0100)多晶硅膜表面處理溶液和采用該溶液的多晶硅膜表面處理方法
0101)用于結(jié)晶多晶硅的掩膜及利用該掩膜形成薄膜晶體管的方法
0102)引入堆疊箱式電容單元的數(shù)兆位動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的劈開－多晶硅CMOS工藝
0103)多晶硅薄膜的制造方法
0104)具有電流增益的單一多晶硅DRAM存儲(chǔ)單元及其制造方法
0105)高純多晶硅的無損材料檢測方法
0106)多層外延硅單結(jié)晶晶片制造方法及多層外延硅單結(jié)晶晶片
0107)基于電感耦合等離子體刻蝕多晶硅及制備超細(xì)線條的方法
0108)利用浮動(dòng)和/或偏置多晶硅區(qū)域的靜電保護(hù)系統(tǒng)和方法
0109)多晶硅柵層的沉積方法
0110)由P+或者N+摻雜多晶硅形成其傳輸門電路的圖像傳感器像素
0111)多晶硅薄膜晶體管陣列板及其制造方法
0112)多晶硅薄膜晶體管及其制造方法
0113)制造多晶硅層的方法
0114)一種太陽能級(jí)多晶硅的生產(chǎn)方法
0115)避免于內(nèi)存組件形成多晶硅縱梁的方法
0116)在半導(dǎo)體制作過程中通過氘以形成多晶硅層的方法
0117)用順序橫向固化制造均勻大晶粒和晶粒邊界位置受控的多晶硅薄膜半導(dǎo)體的方法
0118)多晶硅鑄錠爐的爐體保護(hù)裝置
0119)將非晶硅結(jié)晶成多晶硅的方法及使用于此方法之光刻掩膜
0120)多晶硅/體硅ESD結(jié)構(gòu)保護(hù)的垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體功率器件
0121)多晶硅氫還原爐的可變截面積進(jìn)氣口裝置
0122)多晶硅化鎢柵極的制造方法
0123)基于薄膜硅的多結(jié)光伏器件的納米晶硅和非晶鍺混合型吸收層
0124)低溫多晶硅薄膜制造方法
0125)硅薄膜退火方法和由該方法制造的多晶硅薄膜
0126)多晶硅的制造方法和裝置以及太陽能電池用硅基片的制造方法
0127)提高深亞微米多晶硅柵刻蝕均勻性的方法
0128)用于減小多晶硅高度的SOI底部預(yù)摻雜合并e(*)多晶硅鑄錠爐的硅液溢流保護(hù)系統(tǒng)
0130)三層多晶硅嵌入式非易失性存儲(chǔ)器單元及其制造方法
0131)具有低摻雜漏極結(jié)構(gòu)的低溫多晶硅薄膜晶體管的制造方法
0132)用場效應(yīng)管和雙極基極多晶硅層制造多晶硅電容器的方法
0133)非晶硅（多晶硅）家用小型太陽能發(fā)、用電裝置
0134)多晶硅液晶顯示器件的制造方法
0135)低溫多晶硅薄膜電晶體的結(jié)構(gòu)
0136)多晶硅細(xì)脈熔絲
0137)一種制作多晶硅發(fā)射極界面層的方法
0138)一種多晶鍺硅肖特基二極管
0139)提高多晶硅柵極層厚度均勻性的方法
0140)彩色多晶硅微粒及其制備方法
0141)在集成電路上制造互連的多晶硅對(duì)多晶硅低電阻接觸方法
0142)多晶硅刻蝕腔體
0143)在流化床反應(yīng)器中制備顆粒狀多晶硅的方法和裝置
0144)適用于低壓常規(guī)電源加熱啟動(dòng)的多晶硅氫還原爐
0145)尤其在閃存中用于刻蝕多晶硅上鎢硅化物的方法
0146)多孔硅層結(jié)構(gòu)的晶體硅太陽電池
0147)一種用稻殼制備太陽能電池用多晶硅的方法
0148)廉價(jià)多晶硅薄膜太陽電池
0149)單晶硅拉制爐及多晶硅冶煉爐用炭/炭隔熱屏的制備方法
0150)多晶硅層的制作方法
0151)半導(dǎo)體器件的著片多晶硅接觸結(jié)構(gòu)及柵極結(jié)構(gòu)的制造方法
0152)一種多晶硅刻蝕腔室中陽極氧化零件表面的清洗方法
0153)一種用于制備多晶硅絨面的酸腐蝕溶液及其使用方法
0154)一種包括碳化硅晶須的多元組合增韌碳化硅陶瓷制造方法
0155)低溫直接沉積多晶硅薄膜晶體管及其制造方法
0156)用于動(dòng)態(tài)閾值電壓控制的多晶硅背柵SOI MOSFET
0157)超厚多晶硅回刻的方法
0158)用于拋光多晶硅的化學(xué)機(jī)械拋光液
0159)多晶硅薄膜的制造方法
0160)疊層儲(chǔ)存電容器結(jié)構(gòu)、低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器
0161)多晶硅太陽能電池轉(zhuǎn)換效率的測試方法
0162)帶有多晶硅場板的功率MOS場效應(yīng)管及其制造方法
0163)用于制造單晶或多晶材料、尤其是多晶硅的裝置和方法
0164)通過自對(duì)準(zhǔn)形成多晶硅浮柵結(jié)構(gòu)的方法
0165)具有金屬和多晶硅柵電極的高性能電路及其制造方法
0166)具有摻雜多晶硅層構(gòu)成的互連的半導(dǎo)體器件的制造方法
0167)多晶硅氫還原爐
0168)表面修飾溶液誘導(dǎo)晶化多晶硅薄膜的制備方法
0169)多晶硅鑄錠爐的熱場結(jié)構(gòu)
0170)具厚膜多晶硅的靜電放電防護(hù)元件、電子裝置及制造方法
0171)一種生產(chǎn)多晶硅用的還原爐
0172)多晶硅氫還原爐
0173)一種單層多晶硅柵OTP器件及其形成方法
0174)一種低溫多晶硅薄膜晶體管的制造方法
0175)形成多晶硅鍺層的方法
0176)一種多晶硅自對(duì)準(zhǔn)雙極器件及其制造工藝
0177)用于增加多晶硅熔化速率的間歇式加料技術(shù)
0178)單層多晶硅非易失性存儲(chǔ)器裝置的操作方法
0179)形成具高電阻值的多晶硅薄膜的方法
0180)一種在陶瓷襯底上沉積大晶粒多晶硅薄膜的方法
0181)耐高溫多晶碳化硅纖維的制備方法
0182)多晶硅硅化物電熔絲器件
0183)具有發(fā)射極多晶硅源/漏區(qū)的EEPROM單元的制造
0184)硅半導(dǎo)體晶片及制造多個(gè)半導(dǎo)體晶片的方法
0185)制備多晶硅的方法
0186)形成多晶硅薄膜的方法，包含多晶硅薄膜的薄膜晶體管及其制造方法
0187)MTV播放器低溫多晶硅顯示裝置
0188)多晶硅ESD結(jié)構(gòu)保護(hù)的垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體功率器件
0189)15(*)低溫多晶硅薄膜晶體管及其制造方法
0191)一種改善線條粗糙度的多晶硅刻蝕方法
0192)一種制備多晶硅的方法
0193)多晶硅界定階躍恢復(fù)器件
0194)單個(gè)多晶硅快閃電可擦除只讀存儲(chǔ)器及其制造方法
0195)蝕刻多晶硅層以形成多晶硅閘極的方法
0196)半導(dǎo)體元件與其中的多晶硅薄膜晶體管及其制造方法
0197)一種提高各向異性的多晶硅脈沖刻蝕工藝
0198)內(nèi)嵌單層多晶硅非易失性存儲(chǔ)器的集成電路
0199)用于薄膜晶體管的多晶硅薄膜和使用該多晶硅薄膜的器件
0200)多晶硅薄膜的制造方法
0201)P型太陽能電池等級(jí)多晶硅制備工藝
0202)多晶硅的制備
0203)形成多晶硅層的方法
0204)多晶硅的腐蝕方法和腐蝕裝置
0205)多晶硅刻蝕的方法
0206)改善多晶硅缺陷的方法
0207)三維多晶硅只讀存儲(chǔ)器及其制造方法
0208)制造具有低溫多晶硅的頂柵型薄膜晶體管的方法
0209)具多晶硅射極雙極性晶體管的制造方法
0210)在半導(dǎo)體制程中避免多晶硅縱樑形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
0211)用于應(yīng)變硅MOS晶體管的多晶硅柵極摻雜方法和結(jié)構(gòu)
0212)多晶硅薄膜的制作方法
0213)制備三氯氫硅和多晶硅的改進(jìn)方法和裝置
0214)輕摻雜漏極結(jié)構(gòu)的低溫多晶硅薄膜晶體管及其制作方法
0215)用于增加多晶硅熔化速率的間歇式加料技術(shù)
0216)制作低溫多晶硅薄膜的方法
0217)低電壓操作的單一多晶硅快閃存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)及其陣列
0218)一種太陽能電池用高純多晶硅的制備方法和裝置
0219)多晶硅薄膜制造方法以及使用該多晶硅薄膜的設(shè)備
0220)應(yīng)用于高效能薄膜晶體管的多晶硅退火結(jié)構(gòu)及其方法
0221)一種多晶硅柵刻蝕終點(diǎn)的檢測方法及檢測裝置
0222)多晶硅錠制造裝置
0223)激光退火多晶硅薄膜晶體管柵絕緣層的制備方法
0224)供高溫力學(xué)量傳感器用的納米多晶硅(*)使用透明基板制造多晶硅膜的方法和裝置
0226)多晶硅薄膜、其制法以及用該膜制造的薄膜晶體管
0227)多晶硅片水基清洗劑
0228)制備多晶硅顆粒的方法和裝置
0229)低溫多晶硅薄膜電晶體基板及其制作方法
0230)一種用于表面工藝多晶硅結(jié)構(gòu)釋放的工藝
0231)利用多晶硅的薄膜晶體管制造方法
0232)低溫多晶硅顯示裝置
0233)多晶硅氫還原爐測溫視鏡結(jié)構(gòu)
0234)用于靜電放電保護(hù)的改善多晶硅(*)具有多晶硅層的薄膜晶體管、制造方法及平板顯示器
0236)一種能夠消除殘氣影響的多晶硅刻蝕工藝
0237)具有多晶硅源極接觸結(jié)構(gòu)的溝槽MOSFET器件
0238)降低多晶硅層洞缺陷的方法
0239)多晶硅膜的制造方法以及薄膜晶體管的制造方法
0240)多晶硅電阻及其制造方法
0241)由多晶硅裝料制備熔化的硅熔體的方法和裝置
0242)用于在直拉法生長的硅晶體中得到低電阻率的多級(jí)砷摻雜法
0243)高效太陽能電池用微晶多晶硅片無切割制備方法
0244)雙摻雜多晶硅及鍺化硅的蝕刻
0245)多晶硅薄膜及其組件的制備方法
0246)具多個(gè)共通電壓驅(qū)動(dòng)電路的多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器
0247)低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法
0248)低溫多晶硅有機(jī)電激發(fā)光裝置的制法
0249)多晶硅膜的制造方法
0250)多晶硅薄膜制造方法和具有其的薄膜晶體管的制造方法
0251)一種轉(zhuǎn)化四氯化硅制取三氯氫硅和多晶硅的方法
0252)一種多晶硅刻蝕中的干法清洗工藝
0253)具有P＋多晶硅柵極的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制作方法
0254)用場效應(yīng)管和雙極基極多晶硅層制造多晶硅電容器的方法
0277)基于多晶硅特性制作熱剪切應(yīng)力傳感器的方法
0287)避免溝槽底部毛邊生成的多晶硅刻蝕工藝
0288)表面加工多晶硅薄膜熱膨脹系數(shù)的電測試方法
0289)激光薄膜多晶硅退火光學(xué)系統(tǒng)
0290)在多晶硅上具有平滑界面的集成電路
0291)多晶硅冶煉用調(diào)壓變壓器
0292)低溫多晶硅薄膜晶體管全集成有源選址基板及制備方法
0293)形成多晶硅薄膜的方法及用該方法制造薄膜晶體管的方法
0294)多晶硅原料低能耗提純制備方法
0295)一種單層多晶硅可電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器
0296)量測多晶硅線底部形狀的方法
0297)具有多晶硅浮動(dòng)隔離層的鏡像存儲(chǔ)單元晶體管對(duì)
0298)在雙金屬/多晶硅氧化物氮化物氧化物硅陣列中的聯(lián)結(jié)及選取步驟
0299)利用準(zhǔn)分子激光退火工藝制作多晶硅薄膜的方法
0300)一種防止多晶硅刻蝕中器件等離子損傷的刻蝕工藝
0301)多晶硅氫還原爐
0302)采用無氯烷氧基硅烷制備多晶硅的方法
0303)降低多晶耗盡效應(yīng)的制作多晶硅柵極晶體管的方法
0304)一種嵌入物包括碳化硅晶片的多成份碳化硅陶瓷
0305)一種摻雜鍺的定向凝固鑄造多晶硅
0306)評(píng)定多晶硅的方法和系統(tǒng)及制造薄膜晶體管的方法和系統(tǒng)
0307)超小粒徑多晶硅的結(jié)構(gòu)和方法
0308)形成多晶硅薄膜的方法
0309)形成多晶硅薄膜裝置的方法
0310)多晶硅爐觀察裝置
0311)制造多晶硅層的方法及其光罩
0312)低溫多晶硅薄膜晶體管及其制造方法
0313)制備具有W/WN/多晶硅分層薄膜的半導(dǎo)體器件的方法
0314)雙極CMOS器件多晶硅刻蝕方法
0315)多孔結(jié)晶硅酸鹽的非原位固態(tài)磷活化
0316)鑄模及其形成方法,和采用此鑄模的多晶硅基板的制造方法
0317)改進(jìn)的多晶硅－硅化物
0318)氣體分布控制系統(tǒng)及多晶硅柵極刻蝕與硅片淺溝槽隔離刻蝕的方法
0319)一種定向凝固生長太陽能電池用的多晶硅錠工藝
0320)一種減少多晶硅生長工藝崩邊的石英舟
0321)單層多晶硅可電除可程序只讀存儲(chǔ)單元的制造方法
0322)多晶硅氫還原爐進(jìn)氣噴口
0323)多晶化方法、制造多晶硅薄膜晶體管的方法及用于該方法的激光輻照裝置
0324)形成多晶硅層的方法以及制造多晶硅薄膜晶體管的方法
0325)一種利用多晶硅構(gòu)建ESD泄放通道的防護(hù)電路
0326)多晶硅膜的形成方法
0327)多晶硅氫還原爐
0328)多層鐵硅鋁磁合金膜以及鐵硅鋁磁合金籽晶層
0329)一種四氯化硅、多晶硅和石英玻璃的聯(lián)合制備法
0330)多晶硅太陽能電池織構(gòu)層的制備方法
0331)浸沾法金屬誘導(dǎo)碟形晶疇多晶硅薄膜材料及制備和應(yīng)用
0332)多晶硅鑄錠爐的爐體保護(hù)裝置
0333)薄膜晶體管的多晶硅層及其顯示器
0334)單/多晶硅薄膜及其組件的制備裝置
0335)一種防止硅片在生長多晶過程中產(chǎn)生崩邊的石英舟
0336)多晶硅柵極蝕刻后的無機(jī)抗反射涂層的干式各向同性移除
0337)利用氧化物與多晶硅隔離墊制造高密度集成電路的方法
0338)由多孔性硅石玻璃坯體制造具有結(jié)晶區(qū)的硅石玻璃坩堝的方法
0339)過渡金屬多重?fù)诫s負(fù)溫度系數(shù)單晶硅熱敏電阻
0340)多晶硅層的結(jié)晶方法
0341)制備大面積多晶硅方法
0342)多晶硅的定向生長方法
0343)一種無需移動(dòng)部件的多晶硅分凝鑄錠爐
0344)多晶硅薄膜晶體管液晶顯示面板及其制造方法
0345)修復(fù)多晶硅柵極側(cè)壁刻蝕損傷的方法及柵極的制造方法
0346)單晶硅拉制爐及多晶硅冶煉爐用炭/炭加熱器的制備方法
0347)利用雙多晶硅的位線注入
0348)多晶硅薄膜晶體管
0349)一種去除多晶硅刻蝕工藝中殘留聚合物的方法
0350)半導(dǎo)體器件及制作一低溫多晶硅層的方法
0351)多層非晶硅的制造方法
0352)用于LCD或OELD的具有多柵極結(jié)構(gòu)的結(jié)晶硅TFT板
0353)制造低溫多晶硅晶體管的多晶硅的組合設(shè)備工具
0354)絕緣層上多晶硅的激光加熱再結(jié)晶方法
0355)高純度多結(jié)晶硅的制造方法及制造裝置
0356)具有單層多晶硅的鏡像非易失性存儲(chǔ)器單元晶體管對(duì)
0357)用于產(chǎn)生結(jié)晶方向受控的多晶硅膜的系統(tǒng)和方法
0358)有源驅(qū)動(dòng)有機(jī)電致發(fā)光顯示屏中多晶硅TFT陣列的制作方法
0359)高壓集成電路中制作高阻值多晶硅電阻的方法
0360)一種DRAM的多晶硅柵極制作方法
0361)閃存儲(chǔ)器用的多層疊層多晶硅柵的平整方法
0362)低溫多晶硅薄膜的制造方法及低溫多晶硅薄膜晶體管
0363)多晶硅層及其制造方法
0364)多晶硅氫還原爐
0365)一種制備太陽能級(jí)多晶硅的方法
0366)集成于絕緣襯底上外延硅薄板上的多晶鍺基波導(dǎo)檢測器
0367)適用于有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的多晶硅薄膜象素電極
0368)在半導(dǎo)體裝置中形成多晶硅層的方法
0369)用多晶硅原料制備熔硅的方法
0370)擋板晶圓及其所用的隨機(jī)定向多晶硅
0371)一種單層多晶硅柵MTP器件及其制造方法
0372)高壓水氣退火的多晶硅薄膜晶體管組件的制作方法
0373)太陽能等級(jí)多晶硅的制備方法
0374)多晶態(tài)硅膜的制造方法和制造裝置、以及半導(dǎo)體裝置及其制造方法
0375)利用晶界形成半導(dǎo)體器件中的兩層多晶硅柵極的方法
0376)低溫多晶硅薄膜的制造方法
0377)低溫多晶硅薄膜晶體管基板
0378)多晶硅氫還原爐
0379)用于多晶硅制作的輔助激光結(jié)晶的方法
0380)多晶硅薄膜晶體管離子感測裝置與制作方法
0381)基于二氯甲硅烷的化學(xué)汽相淀積多晶硅化物膜中異常生長的控制
0382)形成多晶硅層及多晶硅薄膜晶體管的方法
0383)采用梯度降溫的多晶硅精鑄錠爐
0384)用單層多晶硅工藝形成高薄層電阻量電阻器和高電容量電容器
0385)薄膜晶體管與多晶硅層的制造方法
0386)多晶硅柵表面的清洗方法
0387)多晶硅薄膜的制備方法
0388)多晶硅定向凝固下拉晶體生長的重心驅(qū)動(dòng)傳動(dòng)機(jī)構(gòu)
0389)用多晶硅掩模和化學(xué)機(jī)械拋光制造不同柵介質(zhì)厚度的工藝
0390)利用雙鑲嵌工藝來形成T型多晶硅柵極的方法
0391)一種鋅還原法生產(chǎn)多晶硅的工藝
0392)使用氮化工藝的多晶硅化金屬柵極制程
0393)一種消除多晶硅刻蝕過程出現(xiàn)縫隙的方法
0394)多晶硅薄膜結(jié)晶品質(zhì)的檢測裝置及其檢測與控制方法
0395)多晶硅薄膜晶體管陣列基板及其制造方法
0396)多晶(*)改善蝕刻多晶硅的均勻性和減少其蝕刻速率變化的方法
0398)半導(dǎo)體電路制造的多層多晶硅瓦片結(jié)構(gòu)
0399)蘸取式多晶硅太陽能電池p(*)可靠的具有減小的薄膜電阻的多晶硅(*)多晶硅板制備方法
0402)具有多晶硅薄膜的半導(dǎo)體器件
0403)一種嵌入物包括纖維、晶須的多成份碳化硅陶瓷
0404)多晶硅結(jié)晶方法、薄膜晶體管及其液晶顯示器的制造方法
0405)非離子型聚合物在自停止多晶硅拋光液制備及使用中的應(yīng)用
0406)多晶硅、其生產(chǎn)方法及生產(chǎn)裝置
0407)薄膜晶體管的多晶硅制造方法
0408)用于使低溫多晶硅薄膜面板平面化的多晶硅平面化溶液
0409)用于顯示影像的系統(tǒng)及低溫多晶硅的激光退火方法
0410)制作多晶硅薄膜的方法
0411)多晶硅自行對(duì)準(zhǔn)接觸插塞與多晶硅共享源極線及制作方法
0412)70納米多晶硅柵刻蝕－氟化+反應(yīng)離子刻蝕方法
0413)形成T型多晶硅柵極的方法
0414)多晶硅薄膜殘余應(yīng)變的在線檢測結(jié)構(gòu)及檢測方法
0415)多晶硅的制造方法
0416)具有多晶硅層的顯示面板及其制造方法
0417)激光薄膜多晶硅退火系統(tǒng)
0418)一種包括晶須、纖維的多元組合增韌碳化硅陶瓷制造方法
0419)多晶硅的等離子生產(chǎn)方法及其裝置
0420)一種單層多晶硅柵可編程器件及其形成方法
0421)帶有摻雜多晶硅場發(fā)射陰極陣列結(jié)構(gòu)的平板顯示器及其制作工藝
0422)光電二極管上設(shè)有多晶硅層的圖像傳感器及像素
0423)多晶硅薄膜晶體管制造方法
0424)連續(xù)制備多晶高純硅顆粒的方法
0425)制作多晶硅薄膜的方法
0426)一種多晶鍺硅薄膜的制備方法
0427)溶液法金屬誘導(dǎo)晶化大晶粒多晶硅薄膜材料及制備和應(yīng)用
0428)一種低溫多晶硅薄膜器件及其制造方法與設(shè)備
0429)多晶硅鑄錠爐的熱場結(jié)構(gòu)
0430)半導(dǎo)體元件和在其中形成多晶硅層的制造方法
0431)多晶硅鑄錠爐用石墨坩鍋
0432)多晶硅鑄錠爐的硅液溢流保護(hù)系統(tǒng)
0433)穩(wěn)定的多晶硅電阻器和制造它的方法
0434)低溫多晶硅薄膜晶體管顯示面板及其制造方法
0435)具有多晶硅插頭的半導(dǎo)體器件的制造方法
0436)一種納米線寬多晶硅柵刻蝕掩膜圖形的形成方法
0437)具有多晶硅多層絕緣結(jié)構(gòu)的非易失性存儲(chǔ)單元
0438)多晶硅化學(xué)機(jī)械拋光液
0439)多晶硅的生產(chǎn)裝置
0440)激光輻射方法和形成多晶硅薄膜的裝置
0441)多晶硅橫向結(jié)晶方法以及應(yīng)用其制造的多晶硅薄膜晶體管
0442)具有多晶硅浮置隔片的鏡像存儲(chǔ)單元晶體管對(duì)的制造方法
0443)多晶硅自對(duì)準(zhǔn)插塞的制作方法
0444)多晶硅層以及薄膜晶體管的制造方法
0445)橫向多晶硅PIN二極管及其制造方法
0446)將非晶硅轉(zhuǎn)換為多晶硅的方法
0447)多晶硅化學(xué)機(jī)械研磨法來增進(jìn)柵極微影能力的方法
0448)一種多晶鍺硅薄膜的制備方法
0449)有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板及其多晶硅通道層的形成方法
0450)多晶硅的制造方法
0451)制造雙層多晶硅可改寫非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的方法
0452)減少在氮離子注入時(shí)產(chǎn)生多晶硅化金屬空洞的方法
0453)用多晶硅爐料制備硅熔體的方法
0454)以高純石英砂為原料生產(chǎn)太陽能級(jí)多晶硅的方法
0455)用于多晶硅低溫結(jié)晶化的金屬催化劑摻雜裝置及通過該裝置進(jìn)行摻雜的方法
0456)在線淀積LPCVD多晶硅石英系統(tǒng)保護(hù)層裝置
0457)多晶硅間介電層的制造方法
0458)有雙重冷卻系統(tǒng)的多晶硅還原爐
0459)二氧化硅多孔晶體的制造方法
0460)形成多晶硅的方法和在硅基材料中的MOSFET器件
0461)雙膽堿和三膽堿在涂石英多晶硅和其它材料清潔中的用法
0462)低溫多晶硅平面顯示面板
0463)一種太陽能多晶硅原料提純制備方法
0464)低溫多晶硅薄膜晶體管及其多晶硅層的制造方法
0465)增進(jìn)多晶硅電阻穩(wěn)定性的結(jié)構(gòu)及其方法
0466)一種多晶硅刻蝕腔室中陶瓷材料零件表面的清洗方法
0467)一次可生產(chǎn)多根硅芯及其它晶體材料的高頻線圈
0468)具有多晶硅薄膜晶體管的平板顯示裝置
0469)用于薄膜晶體管的多晶硅薄膜及使用該多晶硅薄膜的顯示器件
0470)制造多晶硅薄膜的方法和使用該多晶硅的薄膜晶體管
0471)制造內(nèi)層多晶硅介電層的方法
0472)具有高性能集成電路多晶硅凝集熔消組件的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體的工藝
0473)一種多晶硅生產(chǎn)過程中的副產(chǎn)物的綜合利用方法
0474)低溫下用順序橫向固化制造單晶或多晶硅薄膜的系統(tǒng)和方法
0475)高能束流多晶硅提純裝置
0476)具有平坦表面的多晶硅薄膜及其制造方法
0477)梯形多晶硅插塞及其制造方法
0478)多晶硅(*)一種可改善多晶硅柵極側(cè)面輪廓的柵極制作方法
0480)太陽能級(jí)多晶硅大錠的制備方法
0481)一種能夠防止器件等離子體損傷的多晶硅刻蝕工藝
0482)多晶硅薄膜的制造方法和用多晶硅薄膜制造的顯示器件
0483)使用固體激光器退火的多晶硅薄膜制備半導(dǎo)體器件的方法
0484)具有電壓維持區(qū)域并從相反摻雜的多晶硅區(qū)域擴(kuò)散的高電壓功率MOSFET
0485)平坦多晶硅薄膜晶體管的制作方法
0486)制備多晶硅用鑄錠爐
0487)底柵控制型多晶硅薄膜晶體管的制造方法
0488)多晶硅的評(píng)價(jià)方法
0489)集成電路多晶硅高阻電阻的制作方法
0490)多晶硅薄膜太陽能電池專用設(shè)備
0491)形成多晶硅連接的深溝動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元的方法
0492)注入氟的多晶硅緩沖局部氧化半導(dǎo)體器件的制造方法
0493)用于多晶硅鑄錠工藝的石墨加熱器
0494)低溫多晶硅薄膜晶體管的制造方法
0495)一種利用多晶硅構(gòu)建ESD泄放通道的防護(hù)器件
0496)多晶硅薄膜的晶粒尺寸的控制及其檢測方法
0497)電熱致動(dòng)多晶硅柔性鉸支承杠桿式微夾鉗
0498)一種抑制多晶硅針孔的多晶硅層緩沖局部場氧化硅結(jié)構(gòu)工藝方法
0499)以連續(xù)式側(cè)向固化法形成多晶硅膜的方法及其光罩圖案
0500)一種單一內(nèi)嵌多晶硅存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)及其操作方法
0501)用于在襯底上淀積多晶硅層的裝置
0502)用于對(duì)多晶硅膜進(jìn)行拋光的化學(xué)機(jī)械拋光漿料組合物及其制備方法
0503)多晶硅鑄錠爐的熱場節(jié)能增效裝置
0504)一種多晶刻蝕腔室中硅材質(zhì)零件表面的清洗方法
0505)多晶硅柵極摻雜方法
0506)一種功率型多晶硅發(fā)射極晶體管
0507)傾倒式多晶硅真空拉錠爐
0508)制作多晶硅－多晶硅/MOS疊層電容器的方法
0509)形成具有多晶硅(*)低溫多晶硅液晶顯示結(jié)構(gòu)及其制造方法
0511)一種一次可生產(chǎn)多根硅芯或其它晶體材料的高頻線圈
0512)多晶硅二極管的靜電放電保護(hù)裝置
0513)利用準(zhǔn)分子激光再結(jié)晶工藝來制作多晶硅薄膜的方法
0514)一種減少顆粒產(chǎn)生的多晶硅柵極刻蝕工藝
0515)用干法刻蝕多晶硅的局部氧化硅法
0516)一種用于拋光多晶硅的化學(xué)機(jī)械拋光液
0517)多用途多晶硅邊緣測試結(jié)構(gòu)
0518)多晶硅晶棒的制造方法
0519)多晶硅薄膜晶體管的多晶硅膜的形成方法
0520)一種太陽能電池用多晶硅制造方法
0521)閃存裝置制造中用于多晶硅(*)去除多晶硅殘留的方法
0523)多晶硅膜的形成方法
0524)采用多晶硅溫度二極管的集成風(fēng)速計(jì)及其制造方法
0525)具有基片觸點(diǎn)和多晶硅橋接單元的半導(dǎo)體只讀存儲(chǔ)裝置
0526)多晶硅的蝕刻方法
0527)光罩與應(yīng)用其形成多晶硅層的方法
0528)多晶硅薄膜晶體管及其制造方法
0529)一種多晶硅存儲(chǔ)元件及其制備方法
0530)形成多晶硅薄膜的方法
0531)監(jiān)控兩層多晶硅疊柵未對(duì)準(zhǔn)的方法
0532)用高密度等離子氧化層作為多晶硅層間絕緣層的分隔柵的構(gòu)成
0533)多晶硅薄膜的制造方法
0534)多晶硅棒及其加工方法
0535)擇優(yōu)取向的多晶硅薄膜的制備方法
0536)包括低溫多晶硅薄膜晶體管的影像顯示系統(tǒng)及其制造方法
0537)多晶硅鑄錠爐的硅液溢流承接裝置
0538)一種多晶硅刻蝕的方法




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